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            CNY 0.37
            厂商: Infineon Technologies
            库存件数: 287
            货期: 现货
            数量: 
            -
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            • 规格参数
            • 技术文档

            产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

            源漏极间雪崩电压VBR(V):60
            源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
            最大漏极电流Id(on)(A):0.23
            通道极性:N沟道
            封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
            描述:60V,0.23A,N沟道功率MOSFET
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